Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:512M x 4, 1G x 2, 2G x 1
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 µs, 1,5 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
