Mémoire R1Q4A3618CBB-33IA0 165 LBGA Acheter des composants électroniques en ligne En stock
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Attributs
Composant et pièceType
36 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
En vracType de conditionnement
MémoireApplication
Kit de circuits intégrésCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:300 MHz
Organisation de la mémoire:2Mx18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
36 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de circuits intégrés
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
300 MHz
Organisation de la mémoire
2Mx18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
9 - 3 008 pièce
14,45 €
>= 3 009 pièce
7,23 €
Options
SélectionnerSpécification
R1Q4A3618CBB33IA0
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