Mémoire R1WV3216RBG-7SI # Composants électroniques B0 48 TFBGA en stock
Note de la boutique :5.0
(1 avis)
Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
2M16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2M16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
32 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Tuyau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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R1WV3216RBG7SI # B00
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