Composants électroniques Memory S25FS064SAGMFV013 8 SOlC en stock
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Attributs
FLASH - NON (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
8M à 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2 mètres
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
8M à 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
64 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
2 mètres
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
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0.100 kg
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