Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:128 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
