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Composants électroniques de circuit mémoire S29GL256S11DHIV10 64 LBGA, originaux, service complet

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Plateau, plateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:16Mx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau, plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
16Mx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
60 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
50 - 519 pièce
5,09 €
>= 520 pièce
2,59 €

Expédition

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