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Composants électroniques Memory S3R4016R1M-XI70T 48 FBGA, distributeur agréé

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Attributs

Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants de circuits électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 1,98 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:240 secondes
Interface mémoire:PPI - Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
1,71 V ~ 1,98 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
240 secondes
Interface mémoire
PPI - Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 000 - 3 999 pièce
3,79 €
>= 4 000 pièce
1,90 €

Spécification

S3R4016R1M XI70T

Expédition

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