Composants électroniques de mémoire SST25VF032B-80-4I-QAE-T 8 WDFN à contacts apparents, CI BOM en stock
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Attributs
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:Éclair
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:80 MHz
Organisation de la mémoire:4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 micros
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
Éclair
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
80 MHz
Organisation de la mémoire
4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
10 micros
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4712 €
>= 3 100 pièce
0,2356 €
Options
SélectionnerSpécification
SST25VF032B 80 4I QAE T
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