





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512 millions x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35ns, 700µs
Interface mémoire:ONFI














