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Module BSM100GB170DN2HOSA1 Transistors Composants électroniques en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

BSM100GB170DN2HOSA1

Marque nom

Original

Description

IGBT MOD 1700V 145A 1000W

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSM100GB170DN2HOSA1
Marque nom
Original
Description
IGBT MOD 1700V 145A 1000W
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
145 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1700 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
1 mA
Puissance Max
1000 W
Type IGBT
-
Configuration
Demi-Pont
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
16 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Non
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Type d'IGBT
-
Configuration
Demi-pont
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
145 A
Puissance - Max
1000 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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