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Module de transistors MSCSM120AM042CD3AG – Achetez en ligne auprès du fabricant de composants électroniques

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Référence fabricant

MSCSM120AM042CD3AG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 1200V 495A D3

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MSCSM120AM042CD3AG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 495A D3
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
2,031 kW (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
495A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,2 mOhms à 240 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,8 V à 6 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1392nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
18,1pF à 1 000 V
Configuration
2 N Channel (Phase Leg)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (phase)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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