MOSFET à canal N IRF640NPBF Transistor à effet de champ N-MOSFET MOS TO-220AB composants électroniques BOM
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HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
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Attributs
MOSFETType
TraversantsType de paquet
À-220ABPackage/Boîte
Transistor à effet de champDescription
IRF640NPBFRéférence fabricant
OriginalMarque nom
Point d'origine:Original
Type de montage:À travers le trou
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Type de paquet
Traversants
Package/Boîte
À-220AB
Description
Transistor à effet de champ
Référence fabricant
IRF640NPBF
Marque nom
Original
Point d'origine
Original
Type de montage
À travers le trou
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vente Unités
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Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 1 000 unités)
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