Composant électronique NCE60P45K MOSFET 60V 45A 110W TO-252 Transistor Mosfet NCE60P45
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Attributs
Transistor de puissance, Transistor à effet de champ, Transistors de puissanceType
AmplificateurApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Standard, GénéralType de montage
StandardFET Caractéristique
-Configuration
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Puissance Max:norme
Package/Boîte:À-252
Description:conçu pour l'audio haute puissance, NCE 60P45K
Référence fabricant:NCE60P45K
Marque nom:ST, SPTECH
Point d'origine:Guangdong, China
Température de fonctionnement:-65℃~+200℃@(Tj), norme
Série:STANDARD
Code date de fabrication:Le plus récent
Référence croisée:NJW 0302 NJW 0281
Collecteur de courant (Ic) (Max):45
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:norme
Courant-coupure de collecteur (Max):norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:norme
Résistance-socle (R1):norme
Résistance-socle émetteur (R2):norme
FET Type:norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:norme
Tension-décalage (Vt):norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):norme
Courant-vallée (Iv):norme
Courant-Crête:norme
Transistor Type:norme
Type de montage:Montage en Surface
Paiement:Paypal\TT\Western Union\Garantie commerciale
Caractéristiques du produit
Type
Transistor de puissance, Transistor à effet de champ, Transistors de puissance
Application
Amplificateur
Type de paquet
Montage en Surface
Type de montage
Standard, Général
FET Caractéristique
Standard
Configuration
-
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Puissance Max
norme
Package/Boîte
À-252
Description
conçu pour l'audio haute puissance, NCE 60P45K
Référence fabricant
NCE60P45K
Marque nom
ST, SPTECH
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-65℃~+200℃@(Tj), norme
Série
STANDARD
Code date de fabrication
Le plus récent
Référence croisée
NJW 0302 NJW 0281
Collecteur de courant (Ic) (Max)
45
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
norme
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
FET Type
norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
norme
Tension-décalage (Vt)
norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
norme
Courant-vallée (Iv)
norme
Courant-Crête
norme
Transistor Type
norme
Type de montage
Montage en Surface
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Garantie commerciale
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vente Unités
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Avertissement/Disclaimer
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Personnalisable
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0,0948 €
>= 100 pièce
0,0862 €
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À-252
Personnalisation
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