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NCE80TD65BT Transistor NCE MOSFET IGBT 80TD65 Nouveau et original en stock NCE80TD65

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NCE80TD65BT
Type
MOSFET
Marque nom
standard
Type de paquet
Traversants
Description
MOSFET
Point d'origine
original
Package/Boîte
Norme
Température de fonctionnement
Norme
Série
Norme
Code date de fabrication
24 +
Application
MOSFET
Type de Fournisseur
Fabricant original
Référence croisée
Norme
Médias Disponibles
Norme
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Puissance Max
Norme
Fréquence-Transition
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
FET Type
Norme
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Configuration
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Type de montage
Trou de Throught
Garantie
30-90 jours
Qualité
100% Original 100% Marque
Emballage
Nouveau * emballage original
WHATSAPP
+ 86 13570295083

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