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HONG KONG EASIEST TECHNOLOGY CO., LIMITED
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NE555DR NOUVEAU ORIGINAL IC 100kHz 8-SOIC Composants électroniques

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Spécification

NE555DR

Caractéristiques

Référence fabricant

NE555DR

Type

JFET

Marque nom

original

Type de paquet

-

Description

NE555DR Modèle 555, IC 100 kHz 8-SOIC

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Type
JFET
Application
norme
Type de paquet
-
Type de montage
-
FET Caractéristique
-
Configuration
-
Package/Boîte
8-SOICs
Description
NE555DR Modèle 555, IC 100 kHz 8-SOIC
Référence fabricant
NE555DR
Marque nom
original
Point d'origine
standard
Température de fonctionnement
-55°C ~150°C (TJ)
Série
norme
Code date de fabrication
24+
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
-
Type de montage
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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