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Transistor NPN haute tension de rupture BU406

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200-1 999 pièce
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≥2 000 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

BU406

Type

transistor

Marque nom

YZPST

Type de paquet

TO-220C

Description

Transistor NPN de puissance, tension de claquage élevée BU406

Point d'origine

Jiangsu, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BU406
Type
transistor
Marque nom
YZPST
Type de paquet
TO-220C
Description
Transistor NPN de puissance, tension de claquage élevée BU406
Point d'origine
Jiangsu, China
Package/Boîte
TO-220C
Application
Amplificateur de puissance
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
CI
7A
VCEO
200V
PC(TO-220C)
60W
VCES
400V
VEBO
9V
ICP
10A
IB
4A
IBP
8A
Tj
-55 ~ +150℃
Type
Transistor NPN

Emballage et livraison

Packaging Details
L'emballage du mosfet: 1. Emballage Anti-électrostatique 2. Boîte de Carton 3. Emballage Blister
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
20X12X8 cm
unique poids brut
2.0 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs