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Transistors à plaquettes exposées NSVBCP53MTWG 3-WDFN – Achetez en ligne auprès d'un distributeur agréé de composants électroniques

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Référence fabricant

NSVBCP53MTWG

Marque nom

Original

Description

TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW

Point d'origine

China

Package/Boîte

3-WDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NSVBCP53MTWG
Marque nom
Original
Description
TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Point d'origine
China
Package/Boîte
3-WDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
500 mV à 50 mA, 500 mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
100 nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 à 150 mA, 2 V
Puissance Max
875 mW
Transistor Type
PNP
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de transistor
PNP
Fréquence - Transition
130MHz

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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