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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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NV25010DWVLT3G EEPROM 1KB SPI SER CMOS EEPROM - Basse Tension de Fonctionnement

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0,4421 €
1-24 pièce
0,397 €
25-99 pièce
0,379 €
100-999 pièce
0,3609 €
≥1 000 pièce

Quantité

Caractéristiques

Marque nom

onsemi

Référence fabricant

NV25010DWVLT3G

Type

mémoire EEPROM

Type de montage

CMS/MTS

Taille de La mémoire

1 kilobit

Point d'origine

Other

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Sous-total de l'article
0,00 €
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À négocier
Sous-total
0,00 €

Caractéristiques du produit

Marque nom
onsemi
Référence fabricant
NV25010DWVLT3G
Type
mémoire EEPROM
Type de montage
CMS/MTS
Taille de La mémoire
1 kilobit
Point d'origine
original
Description
EEPROM 1KB SPI SER CMOS EEPROM - Plage de VCC basse
Type de conditionnement
Bobine, Ruban coupé
Fonction
norme
Application
norme
Température de fonctionnement
- 40°C-+ 125°C
Package/Boîte
SOIC-8 à 8 broches
Série
NV 25010 LV
Caractéristiques
norme
Référence croisée
norme
Chimie de la batterie
norme
Type de mémoire
mémoire EEPROM
Interface de mémoire
Protocole SPI
Courant-approvisionnement (Max)
2 miliampères
Technologie
EEPROM
Tension D'alimentation
1,7 V-5,5 V
Fréquence de l'horloge
20 MHz
Organisation de la mémoire
128 x 8 cm

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

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California Proposition 65 Avis aux consommateurs