NV25080DWVLT3G EEPROM 8 Ko SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - Gamme de tension de fonctionnement basse
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Attributs
EEPROMTechnologie
mémoire EEPROMType de mémoire
Protocole SPIInterface de mémoire
1K x 8Organisation de la mémoire
CMS/MTSType de montage
mémoire EEPROMType
Référence fabricant:NV25080DWVLT3G
Marque nom:onsemi
Taille de La mémoire:8 kilobits
Point d'origine:original
Description:EEPROM 8KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - Plage de VCC basse
Type de conditionnement:Bobine, Ruban coupé
Fonction:norme
Application:norme
Température de fonctionnement:- 40°C-+ 125°C
Package/Boîte:SOIC-8 à 8 broches
Série:NV 25080LV
Caractéristiques:norme
Courant-approvisionnement (Max):3 miliampères
Tension D'alimentation:1,7 V-5,5 V
Fréquence de l'horloge:20 MHz
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
mémoire EEPROM
Interface de mémoire
Protocole SPI
Organisation de la mémoire
1K x 8
Type de montage
CMS/MTS
Type
mémoire EEPROM
Référence fabricant
NV25080DWVLT3G
Marque nom
onsemi
Taille de La mémoire
8 kilobits
Point d'origine
original
Description
EEPROM 8KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - Plage de VCC basse
Type de conditionnement
Bobine, Ruban coupé
Fonction
norme
Application
norme
Température de fonctionnement
- 40°C-+ 125°C
Package/Boîte
SOIC-8 à 8 broches
Série
NV 25080LV
Caractéristiques
norme
Courant-approvisionnement (Max)
3 miliampères
Tension D'alimentation
1,7 V-5,5 V
Fréquence de l'horloge
20 MHz
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