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Composant électronique Transistors NVTFS012P03P8ZTAG 8-WDFN en stock

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Référence fabricant

NVTFS012P03P8ZTAG

Marque nom

Original

Description

Extension du portefeuille PT8P

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-WDFN (3.3x3.3)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVTFS012P03P8ZTAG
Marque nom
Original
Description
Extension du portefeuille PT8P
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-WDFN (3.3x3.3)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11,3 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1535 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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