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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Module de transistors NXH015F120M3F1PTG – Composant électronique – Fabricant Channel

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0,6712 €
100-3 099 pièce
0,34 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

NXH015F120M3F1PTG

Marque nom

Original

Description

MODULE EN CARBURE DE SILICIUM (SiC) ELI

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
L'épuisement Mode
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Puissance Max
198W (Tj)
Package/Boîte
Module
Description
MODULE EN CARBURE DE SILICIUM (SiC) ELI
Référence fabricant
NXH015F120M3F1PTG
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
77A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
19 mOhms à 60 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,4 V à 30 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC à 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4696pF à 800V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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