New 2SA1943 2SC5200 Power Amplifier Paired Transistor A1943 C5200 Audio Power Amplifier Fever Tubemosfet Transistor
New 2SA1943 2SC5200 Power Amplifier Paired Transistor A1943 C5200 Audio Power Amplifier Fever Tubemosfet TransistorAucun avis pour l'instant
Shenzhen Hesheng Technology Co., Limited
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Attributs
IGBTType
MOSFETApplication
TraversantsType de paquet
StandardFET Caractéristique
SIMPLEConfiguration
OtherMédias Disponibles
Numéro de Type:2SC5200
Marque nom:Original
Description:Standard
Point d'origine:Japan
Package/Boîte:TO-264AA
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Série:standard
d/c:2022
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant, Other
Référence croisée:PDF
Collecteur de courant (Ic) (Max):15A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):230V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:3V 800mA, 8A
Courant-coupure de collecteur (Max):5uA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:55 1A 5V
Puissance Max:150W
Fréquence-Transition:30MHz
Résistance-socle (R1):PDF
Résistance-socle émetteur (R2):PDF
FET Type:PDF
Vidange à la tension de la Source (Vdss):PDF
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:PDF
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:PDF
Vgs (th) (Max) @ Id:PDF
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:PDF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:PDF
Fréquence:PDF
Courant nominal (ampères):PDF
Facteur de bruit:PDF
Alimentation-Sortie:PDF
Tension Nominale:PDF
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):PDF
Vgs (Max):PDF
Type IGBT:PDF
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:PDF
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:PDF
Entrée:PDF
Thermistance NTC:PDF
Tension-panne (V (BR) GSS):PDF
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):PDF
Vidange de courant (Id)-Max:PDF
Tension-coupure (VGS off) @ Id:PDF
Résistance-RDS (On):PDF
Tension-Sortie:PDF
Tension-décalage (Vt):PDF
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):PDF
Courant-vallée (Iv):PDF
Courant-Crête:PDF
Transistor Type:standard
Type de montage:Through
Payment ways:TT/WESTERN UNION/PAYPAL AND SO ON
Shipping ways:DHL/FEDEX/EMS/CHINA POST OFFICE AND SO ON
Lead Time:In Stock
Current:Standing C
Temperature:Standing T
ROSH:Yes
Date Code:New
Datesheet:Pls contact with us
Description:standard
Voltage:Standing V
Caractéristiques du produit
Type
IGBT
Application
MOSFET
Type de paquet
Traversants
FET Caractéristique
Standard
Configuration
SIMPLE
Médias Disponibles
Other
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant, Other
Puissance Max
150W
Package/Boîte
TO-264AA
Description
Standard
Numéro de Type
2SC5200
Marque nom
Original
Point d'origine
Japan
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
standard
d/c
2022
Référence croisée
PDF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
15A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
230V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
3V 800mA, 8A
Courant-coupure de collecteur (Max)
5uA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
55 1A 5V
Fréquence-Transition
30MHz
Résistance-socle (R1)
PDF
Résistance-socle émetteur (R2)
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FET Type
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Vidange à la tension de la Source (Vdss)
PDF
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
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Rds sur (Max) @ Id, Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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Fréquence
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Courant nominal (ampères)
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Facteur de bruit
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Alimentation-Sortie
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Tension Nominale
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Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
PDF
Vgs (Max)
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Type IGBT
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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
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Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
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Entrée
PDF
Thermistance NTC
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Tension-panne (V (BR) GSS)
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Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Vidange de courant (Id)-Max
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Tension-coupure (VGS off) @ Id
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Résistance-RDS (On)
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Tension-Sortie
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Tension-décalage (Vt)
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Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
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Courant-vallée (Iv)
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Courant-Crête
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Transistor Type
standard
Type de montage
Through
Payment ways
TT/WESTERN UNION/PAYPAL AND SO ON
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Description
standard
Voltage
Standing V
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
2X3X1 cm
unique poids brut
0.005 kg
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