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New High Quality THGJFAT0T44BAIL Flash Memory ICs Supply Integrated Circuit

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Caractéristiques

Marque nom

original

Référence fabricant

THGJFAT0T44BAIL

Point d'origine

Shanghai, China

Description

high-capacity 128 GB (1 Tbit) Universal Flash Storage (UFS) device

Package/Boîte

153-ball BGA

Type

Component & Part

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Package/Boîte
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vente Unités
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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
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