Attributs
originalNuméro de Type
TransistorsType
originalMarque nom
Montage en SurfaceType de paquet
TransistorsDescription
Guangdong, ChinaPoint d'origine
Package/Boîte:Norme
Série:Transistors
d/c:NOUVEAU
Application:Transistors
Type de Fournisseur:Fabricant original
Médias Disponibles:Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Norme
Courant-coupure de collecteur (Max):Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Puissance Max:Norme
Fréquence-Transition:Norme
Type de Support:Montage en Surface
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
FET Type:Norme
FET Caractéristique:Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Configuration:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:Norme
Type de montage:Montage en Surface
DC:Nouveau
