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Nouveau pilote MOSFET IRF640NPBF TO-220 N-Channel 200V/18A à montage traversant, original

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50-499 pièce
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Spécification

IRF640NPBF

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF640NPBF

Type

MOSFET

Marque nom

Other

Description

Circuits intégrés

Point d'origine

Taiwan, China

Package/Boîte

TO-220

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF640NPBF
Type
MOSFET
Marque nom
Other
Description
Circuits intégrés
Point d'origine
Taiwan, China
Package/Boîte
TO-220
Code date de fabrication
2025 et plus
Application
MOSFET
Type de Fournisseur
MOSFET
Médias Disponibles
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Configuration
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Type de montage
À travers le trou
Type d'emballage
Traversant (Through Hole)
Type de montage
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
14X15X3 cm
unique poids brut
0.010 kg

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