Nouveau MOSFET de puissance à canal N d'origine IXYS IXFH12N120P 1.2kV 12A 1.35 Ohm 1200V 12 ampères 1.15 Rds SMD IC IGBT TO-247 Transistors

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Story Enterprise Limited

3 ans

HK

Attributs

IXFH12N120PNuméro de Type

Transistor IGBTType

IXYSMarque nom

TraversantsType de paquet

MOSFET 12 Ampères 1200V 1.15 RdsDescription

United StatesPoint d'origine

Package/Boîte:Tube

Température de fonctionnement:-55 C ~ 155

Série:Numéro de modèle: IXFH12N120

Type de montage:À travers le trou

Paiement:Paypal \ TT \ Western Union \ Commerce Assurance

Caractéristiques du produit

Numéro de Type

IXFH12N120P

Type

Transistor IGBT

Marque nom

IXYS

Type de paquet

Traversants

Description

MOSFET 12 Ampères 1200V 1.15 Rds

Point d'origine

United States

Package/Boîte

Tube

Température de fonctionnement

-55 C ~ 155

Série

Numéro de modèle: IXFH12N120

Type de montage

À travers le trou

Paiement

Paypal \ TT \ Western Union \ Commerce Assurance

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