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MOSFET N-canal en carbure de silicium (SiC) industriel Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, à trous

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1,14 €

1-99 pièce

0,5219 €

100-499 pièce

0,4349 €

≥500 pièce

Spécification

IRF640NPBF

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF640NPBF

Type

TRANSISTOR

Type de paquet

Traversants

Description

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Point d'origine

Other

Package/Boîte

TO-220-3

Expédition

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Caractéristiques du produit

Type

TRANSISTOR

Application

Industriel

Type de paquet

Traversants

Type de montage

À travers le trou

FET Caractéristique

Carbure de silicium (SiC)

Configuration

SIMPLE

Médias Disponibles

Fiche technique

Type de Fournisseur

Agence

Puissance Max

113.5 W

Package/Boîte

TO-220-3

Description

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Référence fabricant

IRF640NPBF

Point d'origine

taiwan

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Série

IRF640NPBF

Code date de fabrication

10V

Collecteur de courant (Ic) (Max)

35A

Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)

35 nC @ 15 V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

78mOhm @ 20A, 15V

Courant-coupure de collecteur (Max)

35A (Tc)

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3.5V @ 5mA

Fréquence-Transition

5011 pF

FET Type

MOSFETs

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

IRF640NPBF

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

IRF640NPBF

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

IIRF640NPBF

Vgs (th) (Max) @ Id

IRF640NPBF

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

IRF640NPBF

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

IRF640NPBF

Fréquence

IRF640NPBF

Courant nominal (ampères)

IRF640NPBF

Facteur de bruit

IRF640NPBF

Alimentation-Sortie

IRF640NPBF

Tension Nominale

IRF640NPBF

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

IRF640NPBF

Vgs (Max)

IRF640NPBF

Type IGBT

IRF640NPBF

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

IRF640NPBF

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

IRF640NPBF

Entrée

IRF640NPBF

Thermistance NTC

IRF640NPBF

Tension-panne (V (BR) GSS)

IRF640NPBF

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

IRF640NPBF

Vidange de courant (Id)-Max

IRF640NPBF

Tension-coupure (VGS off) @ Id

IRF640NPBF

Résistance-RDS (On)

IRF640NPBF

Tension-Sortie

IRF640NPBF

Tension-décalage (Vt)

IRF640NPBF

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

IRF640NPBF

Courant-vallée (Iv)

IRF640NPBF

Courant-Crête

IRF640NPBF

Transistor Type

SiC MOSFETs

Type de montage

À travers le trou

Type

Field-Effect Transistor

Package / Case

TO-220-3

Series

STripFE

D/C

Newest

Payment

Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance

Package

Reel

Configuration

Single

Product Name

Transistor IC Electronic Component

Shipping BY

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post

Service

Bom List

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vente Unités

Article unique

seul paquet taille

24X18X16 cm

unique poids brut

1.000 kg

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