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Nouveau produit Solid State Drive MZ-V8P500BW 500 Go 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM AES 256 bits cryptage

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Attributs

BureauApplication
SATAType d'interface
SSDModèle
InterneType
Guangdong, ChinaPoint d'origine
NouveauStatut de Produits
Numéro de Type:MZ-V8P500BW
Marque nom:OEM
Moyenne Seek temps:2.0 MS
Cachette:8 Mo
Port d'extension:SATA
Dispose d'une alimentation externe:Pas de
Capacité de HDD:500 Go - 750 Go
Interface taux:12 gb/s
Condition de l'article:Nouveau
Noise Level:600 MB/s
Nombre de HD:1 pc
Paquet:Oui
Moule privé:NON
Vitesse de lecture:601-700 MO/S
Matériel de la coquille:Métal
Seul disque capacité:1000 GB
Taille:2,5 "
Vitesse:15000rpm
Poids ( y compris emballage ):82 g
Sans fil:OUI
Vitesse d'écriture:601-700 MO/S
appliquer:PC client, console de jeu
forme:M2 (2280)
interface:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Mémoire flash NAND:POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
contrôleur:Pour le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
cache:Pour la SDRAM DDR4 basse consommation de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle:Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles:Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système):* Moyenne : 5,4 W * Max : 7,8 W
Tension admissible:3,3 V ± 5 % tension admissible
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:8.01X2.5X0.8 cm

Caractéristiques du produit

Type d'interface
SATA
Taille
2,5 "
Modèle
SSD
Application
Bureau
Type
Interne
Vitesse de lecture
601-700 MO/S
Vitesse d'écriture
601-700 MO/S
Vitesse
15000rpm
Interface taux
12 gb/s
Cachette
8 Mo
Capacité de HDD
500 Go - 750 Go
Seul disque capacité
1000 GB
Nombre de HD
1 pc
Port d'extension
SATA
Matériel de la coquille
Métal
Dispose d'une alimentation externe
Pas de
Statut de Produits
Nouveau
Condition de l'article
Nouveau
Moule privé
NON
Paquet
Oui
Poids ( y compris emballage )
82 g
Moyenne Seek temps
2.0 MS
Sans fil
OUI
Noise Level
600 MB/s
Point d'origine
Guangdong, China
Numéro de Type
MZ-V8P500BW
Marque nom
OEM
appliquer
PC client, console de jeu
forme
M2 (2280)
interface
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Mémoire flash NAND
POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
contrôleur
Pour le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
cache
Pour la SDRAM DDR4 basse consommation de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles
Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système)
* Moyenne : 5,4 W * Max : 7,8 W
Tension admissible
3,3 V ± 5 % tension admissible

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
8.01X2.5X0.8 cm

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