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Nouveau produit pour SAMSUNG Solid State Drive MZ-V8P1T0CW 1 to 980 PRO avec dissipateur thermique PCIe Gen 4.0 NVMe M.2 SSD

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3.6/5.0(234 commentaires)Taux de réachat: 37%Temps de réponse ≤ 3hTaux de livraison dans les délais ≥ 100%

Attributs

InterneType
SSDModèle
BureauApplication
2,5 "Taille
SATAType d'interface
1 ToCapacité de HDD
Vitesse de lecture:601-700 MO/S
Vitesse d'écriture:601-700 MO/S
Vitesse:15000rpm
Cachette:8 Mo
Statut de Produits:Nouveau
Marque nom:FOR SAMSUNG
Moyenne Seek temps:2.0 MS
Interface taux:12 gb/s
Nombre de HD:1 pc
Condition de l'article:Nouveau
Matériel de la coquille:Métal
Dispose d'une alimentation externe:Pas de
Port d'extension:SATA
Moule privé:NON
Poids ( y compris emballage ):82 g
Seul disque capacité:1000 GB
Sans fil:OUI
Paquet:Oui
Noise Level:600 MB/s
Point d'origine:Guangdong, China
Numéro de Type:MZ-V8P1T0CW
Appliquer:PC client, console de jeux
Forme:M.2 (2280)
Interface:PCIe Gen 4.0x4, NVMe 2.0
NAND flash:POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
Contrôleur:POUR le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
Cache:Pour Samsung 1 Go de faible puissance DDR4 SDRAM
Lecture séquentielle:Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles:Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système):* Moyenne: 5.4W * Max: 7.8W
Tension admissible:3.3 V ± 5% de tension admissible

Caractéristiques du produit

Type
Interne
Modèle
SSD
Application
Bureau
Taille
2,5 "
Type d'interface
SATA
Capacité de HDD
1 To
Vitesse de lecture
601-700 MO/S
Vitesse d'écriture
601-700 MO/S
Vitesse
15000rpm
Cachette
8 Mo
Statut de Produits
Nouveau
Marque nom
FOR SAMSUNG
Moyenne Seek temps
2.0 MS
Interface taux
12 gb/s
Nombre de HD
1 pc
Condition de l'article
Nouveau
Matériel de la coquille
Métal
Dispose d'une alimentation externe
Pas de
Port d'extension
SATA
Moule privé
NON
Poids ( y compris emballage )
82 g
Seul disque capacité
1000 GB
Sans fil
OUI
Paquet
Oui
Noise Level
600 MB/s
Numéro de Type
MZ-V8P1T0CW
Point d'origine
Guangdong, China
Appliquer
PC client, console de jeux
Forme
M.2 (2280)
Interface
PCIe Gen 4.0x4, NVMe 2.0
NAND flash
POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
Contrôleur
POUR le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
Cache
Pour Samsung 1 Go de faible puissance DDR4 SDRAM
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles
Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système)
* Moyenne: 5.4W * Max: 7.8W
Tension admissible
3.3 V ± 5% de tension admissible

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
8.01X2.5X0.8 cm

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Quantité minimale : 1 pièce
74,63 €

Couleur: Noir

Capacité: 1 To

1 To

Capacité de disque transistorisé

240G

Expédition

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