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Nouveaux transistors BC327 BC337 BC547 BC548 BC549 BC557 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 2N44012N5551 2N4403 2N5401 MMBT3904 MMBT5551

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Référence fabricant

BC327B

Type

Transistor IGBT

Marque nom

Original

Type de paquet

Transistor IGBT

Description

Norme

Point d'origine

China, Guangdong China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BC327B
Type
Transistor IGBT
Marque nom
Original
Type de paquet
Transistor IGBT
Description
Norme
Point d'origine
China, Guangdong China
Package/Boîte
Norme
Température de fonctionnement
autre
Série
autre
Code date de fabrication
Norme
Application
Autre
Type de Fournisseur
Transistor IGBT
Référence croisée
autre
Médias Disponibles
Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
autre
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
autre
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
autre
Courant-coupure de collecteur (Max)
autre
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
autre
Puissance Max
autre
Fréquence-Transition
autre
Résistance-socle (R1)
autre
Résistance-socle émetteur (R2)
autre
FET Type
Transistor IGBT
FET Caractéristique
Autre
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
autre
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
autre
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
autre
Vgs (th) (Max) @ Id
autre
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
autre
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
autre
Fréquence
autre
Courant nominal (ampères)
autre
Facteur de bruit
autre
Alimentation-Sortie
autre
Tension Nominale
autre
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
autre
Vgs (Max)
autre
Type IGBT
Transistor IGBT
Configuration
Autre
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
autre
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
autre
Entrée
autre
Thermistance NTC
autre
Tension-panne (V (BR) GSS)
autre
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
autre
Vidange de courant (Id)-Max
autre
Tension-coupure (VGS off) @ Id
autre
Résistance-RDS (On)
autre
Tension-Sortie
autre
Tension-décalage (Vt)
autre
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
autre
Courant-vallée (Iv)
autre
Courant-Crête
autre
Transistor Type
Transistor IGBT
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