Shenzhen Futian District Jin Dapeng Electronic Firm

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Nouveau et Original Transistor 40N60 600V 40A IGBT Diaphragme de Champ FGH40N60 FGH40N60SMD

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40N60

Type

Arrêt sur le terrain igbt

Marque nom

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Type de paquet

/

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Type

Arrêt sur le terrain igbt

Application

/

Type de paquet

/

Type de montage

À travers le trou

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

Type de Fournisseur

Fabricant original, ODM, Agence

Package/Boîte

/

Référence fabricant

40N60

Marque nom

JDP/Original Brand

Point d'origine

China

Code date de fabrication

19 + 20 +

Référence croisée

40n60, FGH60N60SMD/SFD/UFD

Numéro de produit

FGH40N60SMD

Type de transistor

IGBT

Catégorie

Transistors-Bipolaires (BJT) -Simples

Description

ARRÊT DE CHAMP D'IGBT 600V 80A

Prix

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Type d'IGBT

Arrêt sur le terrain

Catégorie de produit

Transistors IGBT

Produit

IGBT

Série

FGH40N60

Sous-catégorie

IGBT

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shenzhen

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