Transistor de puissance MOSFET RF ORIGINAL RD15HVF1-101, canal N, 75V 80A, TO-220, -55C~150C
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HK HongShengChuang Industrial Co., Limited
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Attributs
MOSFETType
MOSFETApplication
Through HoleType de paquet
À travers le trouType de Support
PhotoMédias Disponibles
OtherType de Fournisseur
Package/Boîte:TO-220
Description:MOSFET
Numéro de Type:RD15HVF1-101
Marque nom:ORIGINAL
Point d'origine:Japan
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Série:Electronic Components
d/c:Newest
Référence croisée:Transistor
FET Type:N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss):75V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:11mOhm @@ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @@ 250ua
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @@ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @@ 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10V
Vgs (Max):±20V
Type de montage:Through Hole
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
MOSFET
Type de paquet
Through Hole
Type de Support
À travers le trou
Médias Disponibles
Photo
Type de Fournisseur
Other
Package/Boîte
TO-220
Description
MOSFET
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @@ 25V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @@ 10V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A (Tc)
FET Type
N-Channel
Marque nom
ORIGINAL
Numéro de Type
RD15HVF1-101
Point d'origine
Japan
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @@ 40A 10V
Référence croisée
Transistor
Série
Electronic Components
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Type de montage
Through Hole
Vgs (Max)
±20V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @@ 250ua
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
75V
d/c
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