Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 Gbits (NAND), 2 Gbits (LPDDR2)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND, mémoire vive - LPDDR2
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Organisation de la mémoire:512 Mo x 8 (NAND), 64 Mo x 32 (LPDDR2)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:320 micros
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
