Acheter des composants électroniques en ligne RMLV0414EGSB-4S2 # Mémoire HA1 44 TSOP
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Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256Kx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
45 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
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1 - 999 pièce
1,84 €
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1,29 €
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RMLV0414EGSB4S2 # AHA1
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