





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:2 MHz
Organisation de la mémoire:128 x 8, 64 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Microfil














