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Composants électroniques originaux GD5F1GQ4UFYIGR 8 WDFN Mémoire à pad exposé

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2,62 €
1 - 2 999 pièce
1,78 €
≥ 3 000 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

GD5F1GQ4UFYIGR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

1Gbit

Point d'origine

China

Description

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

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Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128M x 8
Type de montage
Montage en surface
Référence fabricant
GD5F1GQ4UFYIGR
Marque nom
Original
Taille de La mémoire
1Gbit
Point d'origine
China
Description
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
8-WDFN avec pad exposé
Série
-
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
120 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
700µs
Interface mémoire
SPI - Quad I/O
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs