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Composants de circuit électronique d'origine 47C04-E/P 8 DIP Mémoire

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

EEPROM, mémoire SRAMTechnologie
Non volatileType de mémoire
512 par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:1 ms
Interface mémoire:I2C

Caractéristiques du produit

Technologie
EEPROM, mémoire SRAM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512 par 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
1 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
1 ms
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Tuyau
Interface mémoire
I2C

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
420 - 3 419 pièce
0,4132 €
>= 3 420 pièce
0,2088 €

Spécification

47C04É/P

Expédition

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