Composants de circuit électronique d'origine 47C04-E/P 8 DIP Mémoire
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Attributs
EEPROM, mémoire SRAMTechnologie
Non volatileType de mémoire
512 par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:1 ms
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM, mémoire SRAM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512 par 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
1 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
1 ms
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Tuyau
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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