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Composants électroniques originaux APTM10DHM09T3G Transistors SP3

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100-3 099 pièce
17,17 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

APTM10DHM09T3G

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Point d'origine

China

Package/Boîte

SP3

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTM10DHM09T3G
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Point d'origine
China
Package/Boîte
SP3
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
POWER MOS V
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
390W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
139A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
10 mOhms à 69,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V à 2,5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
350nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9875pF à 25V
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double) asymétrique

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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