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Composants de circuit électronique d'origine IDT6116SA45TP 24 DIP Mémoire

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
45 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3099 pièce
0,5161 €
>= 3100 pièce
0,2581 €

Expédition

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