Composant électronique d'origine FM25V10-GTR F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V FRAM
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Attributs
cadreType de mémoire
Protocole SPIInterface de mémoire
128k x 8Organisation de la mémoire
CMS/MTSType de montage
cadreType
FM25V10-GTRRéférence fabricant
Marque nom:original
Point d'origine:original
Description:F-RAM 1M (128Kx8) 2,0-3,6V F-RAM
Type de conditionnement:Bobine, Ruban coupé
Fonction:norme
Application:norme
Température de fonctionnement:- 40°C-+ 85°C
Package/Boîte:SOIC-8 à 8 broches
Série:FM 25V10-G
Caractéristiques:norme
Tension D'alimentation:2 V à 3,6 V
Caractéristiques du produit
Type de mémoire
cadre
Interface de mémoire
Protocole SPI
Organisation de la mémoire
128k x 8
Type de montage
CMS/MTS
Type
cadre
Référence fabricant
FM25V10-GTR
Marque nom
original
Point d'origine
original
Description
F-RAM 1M (128Kx8) 2,0-3,6V F-RAM
Type de conditionnement
Bobine, Ruban coupé
Fonction
norme
Application
norme
Température de fonctionnement
- 40°C-+ 85°C
Package/Boîte
SOIC-8 à 8 broches
Série
FM 25V10-G
Caractéristiques
norme
Tension D'alimentation
2 V à 3,6 V
Emballage et livraison
vente Unités
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