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Composant électronique d'origine IPB60R190C6 MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-3 pour C6 151W 170mOhms pour C6

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3,29 €
1-9 pièce
2,15 €
10-499 pièce
1,42 €
500-999 pièce
1,05 €
≥1 000 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IPB60R190C6

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

Bobine, Ruban coupé

Description

MOSFET N-Ch 600V 20,2A D2PAK-2

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPB60R190C6
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
Bobine, Ruban coupé
Description
MOSFET N-Ch 600V 20,2A D2PAK-2
Point d'origine
original
Package/Boîte
D2PAK-3 (boîtier TO-263-3)
Température de fonctionnement
- 55°C-+ 150°C
Série
IPB60R190C
Code date de fabrication
norme
Application
norme
Type de Fournisseur
Fabricant original
Référence croisée
norme
Médias Disponibles
Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
norme
Puissance Max
151 W
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
FET Type
1 canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
20,2 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
170 mOhms
Vgs (th) (Max) @ Id
20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC
Vgs (Max)
20 V
Type IGBT
1 canal N
Transistor Type
1 canal N
Type de montage
Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

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