Original Electronics Component A3G23H500W17SR3 RF MOSFET GAN 48V NI780 NI-780-4S2S Transistors
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Attributs
Châssis MountType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
A3G23H500W17SR3Numéro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
NI-780-4S2SPackage / Case
Description:RF MOSFET GAN 48V NI780
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:GaN
Configuration:2 N-Channel
Frequency:2.3GHz ~ 2.4GHz
Gain:14.3dB
Caractéristiques du produit
Type de montage
Châssis Mount
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
A3G23H500W17SR3
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
NI-780-4S2S
Description
RF MOSFET GAN 48V NI780
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
GaN
Configuration
2 N-Channel
Frequency
2.3GHz ~ 2.4GHz
Gain
14.3dB
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg
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A3G23H500W17SR3
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