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Composant électronique d'origine SI4196DY-T1-E3 Transistors 8-SolC

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Caractéristiques

Référence fabricant

SI4196DY-T1-E3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 20V 8A 8SO

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
-
Package/Boîte
8-SOIC
Description
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
Référence fabricant
SI4196DY-T1-E3
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
27 mOhms à 8 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

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