Transistor de puissance MOSFET IRFP064NPBF, liste de composants IC, devis, 200V 18A IRFP064
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Attributs
FET MOSFETType
normeApplication
/Type de paquet
Traversant, standardType de montage
Carbure de silicium (SiC)FET Caractéristique
normeConfiguration
Médias Disponibles:Fiche technique
Type de Fournisseur:Fabricant original
Puissance Max:norme
Package/Boîte:À-247
Description:200 V 18 A IRFP064, MOSFETs
Référence fabricant:IRFP064NPBF
Marque nom:JMY/Original Brand
Point d'origine:China
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150 ans°C (TJ.)
Série:norme
Code date de fabrication:Le plus récent
Référence croisée:svf7n60
Collecteur de courant (Ic) (Max):norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:norme
Courant-coupure de collecteur (Max):norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:norme
Fréquence-Transition:norme
Résistance-socle (R1):norme
Résistance-socle émetteur (R2):norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss):norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:norme
Vgs (th) (Max) @ Id:norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:norme
Fréquence:norme
Courant nominal (ampères):norme
Facteur de bruit:norme
Alimentation-Sortie:norme
Tension Nominale:norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):norme
Vgs (Max):norme
Type IGBT:norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:norme
Entrée:norme
Thermistance NTC:norme
Tension-panne (V (BR) GSS):norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):norme
Vidange de courant (Id)-Max:norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:norme
Résistance-RDS (On):norme
Tension-Sortie:norme
Tension-décalage (Vt):norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):norme
Courant-vallée (Iv):norme
Courant-Crête:norme
Transistor Type:norme
Technologie:MOSFET (oxyde métallique)
Nom du produit:IRFP 064
Délai de livraison:1 à 3 jours ouvrables
Fiche technique:Veuillez nous contacter !
Caractéristiques du produit
Type
FET MOSFET
Application
norme
Type de paquet
/
Type de montage
Traversant, standard
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
norme
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
norme
Package/Boîte
À-247
Description
200 V 18 A IRFP064, MOSFETs
Référence fabricant
IRFP064NPBF
Marque nom
JMY/Original Brand
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150 ans°C (TJ.)
Série
norme
Code date de fabrication
Le plus récent
Référence croisée
svf7n60
Collecteur de courant (Ic) (Max)
norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
norme
Fréquence-Transition
norme
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
norme
Vgs (th) (Max) @ Id
norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
norme
Fréquence
norme
Courant nominal (ampères)
norme
Facteur de bruit
norme
Alimentation-Sortie
norme
Tension Nominale
norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
norme
Vgs (Max)
norme
Type IGBT
norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
norme
Entrée
norme
Thermistance NTC
norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
norme
Vidange de courant (Id)-Max
norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
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Résistance-RDS (On)
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Tension-Sortie
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Tension-décalage (Vt)
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Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
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Courant-vallée (Iv)
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Courant-Crête
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Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
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