Composants électroniques de mémoire MB85R4002ANC-GE1 48 TFSOP d'origine
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:150 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
256Kx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
150 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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MB85R4002ANCGE1
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