Composants électroniques de mémoire d'origine 153 VFBGA NSEC53T032-IT
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Attributs
Composant et pièceType
256 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:32Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:eMMC_5.1
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
32Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
eMMC_5.1
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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