Mémoire originale 60 TFBGA AS4C64M16MD1-6BCN Acheter des composants électroniques en ligne
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Attributs
SDRAM - LPDDR mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
HK1 an sur Alibaba.com
5/5.0(1 commentaires)Taux de réachat: 16%Temps de réponse ≤ 4hTaux de livraison dans les délais ≥ 93%
Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Gbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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