Composants électroniques originaux de mémoire 8 TSSOP BY25D05ASOIG(R)
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Attributs
FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
64Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2,4 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
64Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
2,4 ms
Interface mémoire
SPI - Double E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
5 000 - 7 999 pièce
0,0511 €
>= 8 000 pièce
0,0256 €
Options
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PAR25D05ASOIG(R)
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