Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
