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Transistor MOSFET SPW47N60C3FKSA1 Composants Électroniques Circuits Intégrés Puce IC Service PCBA Assemblé Fabricant

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SPW47N60C3FKSA1

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MOSFET

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Canal N 650 V 47 A (Tc) 415 W (Tc) PG-TO247-3-1

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SPW47N60C3FKSA1
Type
MOSFET
Marque nom
ORIGINAL
Type de paquet
Montage en Surface
Description
Canal N 650 V 47 A (Tc) 415 W (Tc) PG-TO247-3-1
Point d'origine
ORIGINAL
Package/Boîte
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Application
-
Référence croisée
-
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
47A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
10V
Vgs (th) (Max) @ Id
70 mOhms à 30 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
320 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
415W (Tc)
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
±20V
Type IGBT
-
Configuration
Canal N
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
-
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Nom de la marque
Marque d'origine
Type
Circuits intégrés (CI)
Délai de livraison
24 heures
Service
PCBA/PCB/SMT/Liste BOM
Garantie de qualité
360 jours

Emballage et livraison

vente Unités
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